Báo điện tử chính thống hàng đầu Việt Nam

Chip Snapdragon 845 sẽ giúp Galaxy S9 sạc nhanh chưa từng thấy

Qualcomm rốt cuộc đã chính thức giới thiệu bộ vi xử lý dành cho Samsung Galaxy S9 phiên bản Mỹ: Snapdragon 845. Vi xử lý đời mới nhất, tích hợp công nghệ Quick Charge 4+ này hứa hẹn sẽ nâng cấp tính năng sạc nhanh ở mẫu điện thoại flagship năm 2018 của Samsung tới tốc độ chưa từng thấy.

Chip Snapdragon 845 sẽ giúp Galaxy S9 sạc nhanh chưa từng thấy

Trước đó, Samsung từng công bố một số chi tiết về bị vi xử lý Exynos 9810 do hãng mới tự phát triển, nhiều khả năng sử dụng cho các phiên bản toàn cầu của Galaxy S9. Samsung gọi công nghệ sạc nhanh ở vi xử lý dùng cho dòng thiết bị Galaxy của hãng, có thể cả Galaxy S9, là Adaptive Fast Charge.

Theo các chuyên gia, một trong những lí do khiến Samsung không áp dụng tiêu chuẩn của Qualcomm cho toàn bộ các smartphone cao cấp của hãng có thể là mức phí bản quyền. Nhà sản xuất chip Mỹ hiện nổi tiếng là công ty thu phí ứng dụng bản quyền sáng chế của hãng khá cao.

Giới quan sát nhận định, nếu công nghệ Quick Charge 4+ ở Snapdragon 845 mang tới hiệu năng tốt hơn nhiều so với Quick Charge 4, Samsung sẽ cải tiến công nghệ Adaptive Charge của hãng để bắt kịp những khả năng ấy hoặc viễn cảnh kịch tính sẽ xảy ra như tiên lượng trên các diễn đàn và mạng xã hội Reddit.

Chip Snapdragon 845 sẽ giúp Galaxy S9 sạc nhanh chưa từng thấy

Về Quick Charge 4+, để được chứng nhận đạt chuẩn công nghệ này, smartphone cần phải đáp ứng cả 3 đặc điểm cải tiến kỹ thuật sau đây, ngoài bộ sạc tương ứng phát hành kèm:

 

Dual Charge (Sạc kép): đặc tính này là một tùy chọn ở các phiên bản trước, nhưng hiện mạnh hơn do bao gồm cả một IC quản lý điện năng thứ hai trong thiết bị. Sạc smartphone thông qua Dual Charge sẽ phân chia dòng điện, khiến dòng điện nạp vào được tản nhiệt thấp hơn và giảm thời gian sạc lên tới 15%.

Intelligent Thermal Balancing (Cân bằng nhiệt thông minh): một tính năng nâng cấp hơn nữa của Dual Charge, tạo nhiệt độ thấp nhất cho dòng điện và cung cấp năng lượng tối ưu.

Advanced Safety Features (Các đặc tính an toàn nâng cao): đặc tính giúp nâng cao một số tính năng cũ với mục đích tăng cường sự an toàn trong quá trình sạc pin. Quick Charge 4.0+ có thể kiểm soát và quản lý nhiệt độ của cả bộ sạc cũng như thiết bị để ngăn ngừa sự chập điện, quá tải nhiệt hay hỏng cổng sạc.

Sự kết hợp của cả 3 tiêu chuẩn trên giúp tăng 30% hiệu suất sạc hoặc khoảng 15% tốc độ sạc đầy thiết bị so với công nghệ tiền nhiệm, Quick Charge 4 (công nghệ vốn cho phép người dùng sạc pin từ 0% lên 50% chỉ trong 15 phút). Các cải tiến này là đáng kể do chúng sẽ giúp thiết bị mát hơn và an toàn hơn trong khi sạc so với trước kia.

Thiết bị đầu tiên được cấp phép Quick Charge 4+ cho sử dụng thiết bị lẻ là Nubia Z17 của ZTE, nhưng smartphone này chỉ dùng bộ vi xử lý Snapdragon 835. Do đó, việc Qualcomm cấp chứng nhận công nghệ sạc nhanh tối tân dường như không đòi hỏi thiết bị phải dùng bộ vi xử lý mới nhất của hãng.

Chip Snapdragon 845 sẽ giúp Galaxy S9 sạc nhanh chưa từng thấy

Tuy nhiên, với khả năng sạc nhanh hơn và an toàn hơn, các smartphone trang bị Snapdragon 845 như Galaxy S9 nhiều khả năng sẽ nâng tiêu chuẩn của các mẫu điện thoại flagship 2018. Các mẫu smartphone Android đầu bảng hiện nay chỉ cần 1,5 - 2 giờ là sạc đầy 100% pin. Sang năm, khoảng thời gian này được kỳ vọng có thể giảm xuống chỉ còn 1 giờ.

Tuấn Anh (theo Phonearena)