Theo Samsung, việc chuyển sang quy trình công nghệ sản xuất bộ nhớ 40nm có thể sẽ tăng thời gian đưa sản phẩm DRAM ra thị trường khoảng 50%, chỉ còn một năm. Quy trình công nghệ sản xuất bộ nhớ 40nm cũng sẽ làm giảm tiêu thụ điện của DRAM so với các sản phẩm được sản xuất theo quy trình công nghệ 50nm hiện nay.
Trong khi đó, các sản phẩm DRAM được sản xuất theo quy trình mới 40nm cũng sẽ tăng khoảng 60% hiệu suất xử lý.
Samsung cho hay sẽ sử dụng công nghệ 40nm để sản xuất DRAM DDR3 2GB đại trà vào cuối năm nay.
Theo PC Launch
.svg){kind=icon}
