Hiện Samsung đã và đang tiến hành thử nghiệm các chip nhớ mẫu MLC NAND Flash có dung lượng 32Gigabit, sản xuất theo tiến trình 20nm, và chúng sẽ được sử dụng trên các sản phẩm như USB, thẻ nhớ dung lượng từ 4GB - 64GB. Samsung cho biết, dây chuyền sản xuất chip 20nm sẽ cho thành phẩm có giá thành rẻ hơn, nhưng tốc độ lại nhanh hơn khoảng 30% so với công nghệ 30nm trước đây, vốn đang được ứng dụng trên các thẻ nhớ SD dung lượng 8GB trở lên, và dòng thẻ nhớ này sẽ đạt tốc độ ghi/chép dữ liệu ở mức class-10, tương đương 20MB/s cho đọc và 10MB/s cho tác vụ ghi dữ liệu.
Theo Samsung/Tinh tế
.svg){kind=icon}
