Snapdragon 835 là thế hệ chip di động mới nhất của Qualcomm với hàng loạt nâng cấp mới, trong đó đáng kể nhất là khả năng hỗ trợ thực tế ảo và sạc pin siêu nhanh.

Chip mới được sản xuất trên dây chuyền công nghệ 10nm FinFET cho kích thước nhỏ hơn dòng chip Snapdragon 821 cao cấp hiện tại (14nm). Qualcomm nói rằng kiến trúc mới tiết kiệm 30% diện tích, giúp thu nhỏ thiết kế và tăng không gian chứa pin cho smartphone. 

{keywords}

Mặc dù nhỏ hơn nhưng Snapdragon 835 đạt hiệu năng cao hơn 27%, tiết kiệm năng lượng 40% so với thế hệ chip hiện nay. 

Snapdragon 835 cũng được tăng cường khả năng sạc nhanh đáng nể. Nếu như chuẩn Quick Charge 3.0 hiện tại có thể sạc được 80% pin trong vòng 15 phút, thì Quick Charge 4.0 mới trên Snapdragon 835 sẽ sạc nhanh 20% và cải thiện 30% hiệu quả năng lượng so với khả năng này. 

Điều đó có nghĩa chỉ cần sạc 5 phút là đã dùng được 5 tiếng, tương đương với 50% thời lượng pin chỉ trong 15 phút sạc. 

Qualcomm cũng cho biết công nghệ sạc mới tương thích hoàn toàn với chuẩn USB Type-C và USB Power. Ngoài ra, chuẩn sạc mới cũng giúp duy trì ít nhất 80% thời lượng pin gốc sau 500 chu kỳ sạc.

Chip mới của Qualcomm sẽ được trang bị cơ chế chống thảm họa cháy nổ pin kiểu như Galaxy Note 7. Chip sẽ sử dụng phần mềm INOV giúp theo dõi quá trình chuyển tải năng lượng thời gian thực nhằm đảm bảo rằng chúng không vượt quá nhiệt độ an toàn. 

Cơ chế chống quá nhiệt này có 4 lớp, được trang bị cho khung máy, pin, chip và các bộ phận dây cáp. Tất cả đều phục vụ cho mục đích giúp đảm bảo an toàn cho chiếc điện thoại.

Những mẫu smartphone mới tích hợp chip Snapdragon 835 sẽ xuất hiện trong một vài tháng tới.

Nguyễn Minh (theo DigitalTrends)