Nguồn tin tiết lộ, dù bắt kịp các gã khổng lồ như Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology là điều khó khăn, chính phủ Trung Quốc xác nhận. Nhà sản xuất DRAM hàng đầu trong nước – Changxin Memory Technologies (CXMT) – là hi vọng lớn nhất đối với HBM nhưng có thể mất tới 4 năm để đưa được sản phẩm ra thị trường.
Nếu CXMT hoặc các hãng chip Trung Quốc khác quyết định tiếp tục, họ sẽ phải dùng công nghệ kém hiện đại hơn để sản xuất DRAM, loại đang có nhu cầu lớn trên thế giới.
SK Hynix – công ty Hàn Quốc đang chiếm khoảng 50% thị phần toàn cầu – phát triển HBM từ tháng 10/2021 và bắt đầu sản xuất quy mô lớn vào tháng 6/2022. Trong tài liệu quảng cáo, SK Hynix gọi công nghệ HBM là “điều kiện tiên quyết cho công nghệ lái tự động Level 4 và 5 trong xe tự hành”.
Theo hãng tư vấn công nghệ TrendForce, nhu cầu chip HBM được kỳ vọng tăng gần 60% trong năm 2023 do chúng là giải pháp ưu tiên để vượt qua hạn chế tốc độ truyền dữ liệu bộ nhớ do giới hạn băng thông.
Tuần trước, SK Hynix thông báo đã phát triển thành công HBM3E, thế hệ tiếp theo của DRAM cao cấp cho các ứng dụng AI và đang cung cấp mẫu thử cho khách hàng để đánh giá hiệu suất. Việc sản xuất đại trà dự kiến diễn ra nửa đầu năm 2024 với các khách hàng như AMD, Nvidia.
Nvidia thiết lập tiêu chuẩn ngành mới thông qua dùng chip HBM để tăng tốc truyền dữ liệu giữa GPU và ngăn xếp bộ nhớ (memory stack). Nó được săn đón chỉ sau chip đồ họa H100 trang bị hệ thống HBM3, cung cấp băng thông bộ nhớ 3 terabyte/giây.
HBM xếp chồng memory chip theo chiều dọc, về cơ bản rút ngắn khoảng cách di chuyển giữa các thông tin. Các tháp bộ nhớ này kết nối với CPU hoặc GPU thông qua kết nối cực nhanh có tên “interposer”.
Ngoài SK Hynix, các hãng đầu ngành trong HBM là Samsung Electronics và Micron Technology. Theo người trong ngành, dù hiệu suất cao, sản xuất chip HMB lại không nhất thiết cần công nghệ in thạch bản tối tân như EUV. Vì vậy, Trung Quốc có thể tự sản xuất phiên bản riêng mà không có thiết bị mới nhất. Trung Quốc sở hữu một số công ty tương đối tiên tiến trong lĩnh vực đóng gói mật độ cao như Changjiang Electronics Technology.
Một giám đốc tại công ty điều khiển chip nhớ cho biết, “sẽ không ngạc nhiên nếu CXMT tham gia sản xuất HMB”. Ông nghĩ rằng CXMT có thể sản xuất DRAM trên quy trình 17 hoặc 19nm, đi sau vài thế hệ so với các đồng nghiệp khác cùng ngành.
(Theo SCMP)