Trước công bố trên, tập đoàn Samsung Electronics và tập đoàn bán dẫn Hynix – hai nhà sản xuất chip bộ nhớ số một và số hai thế giới cho biết; thay vì phải thương mại hóa bộ nhớ flash NAND tốc độ cao của riêng mình, họ sẽ tham gia cuộc cạnh tranh bằng việc tăng nhu cầu chính của thị trường.
Bộ nhớ Flash NAND
Bộ nhớ flash NAND là chip bộ nhớ ổn định cho phép lưu giữ các dữ liệu ngay cả khi tắt nguồn. Bộ nhớ flash NAND được ứng dụng rộng rãi trong máy nghe nhạc MP3, thiết bị ghi hình kỹ thuật số (máy quay phim và máy ảnh) và các thẻ nhớ di động (USB). Nhược điểm duy nhất của NAND là tốc độ chậm. Nếu như DRAM – chip bộ nhớ động, cho phép truy cập tốc độ cao thì NAND chỉ cho phép truy cập dữ liệu qua một địa chỉ nhất định. Tốc độ truy cập dữ liệu của bộ nhớ flash NAND hiện nay chỉ bằng 1/5 ~1/10 tốc độ của DRAM.
Bộ nhớ flash NAND tốc độ cao
Nhằm khắc phục điểm yếu trên, các công ty trên thế giới đã giới thiệu bộ nhớ flash NAND với tốc độ cao. Bộ nhớ flash NAND tốc độ cao mới của Intel và Micron có thể đạt tốc độ đọc dữ liệu 200 Mb/s và tốc độ sao chép dữ liệu 100 Mb/s. Thành tựu trên là kết quả của việc nâng cấp phiên bản ONFI 2.0 mới và cấu trúc 4 đường (4-P) với tốc độ cao hơn. Bộ nhớ NAND thường với pin đơn giới hạn tốc độ đọc dữ liệu là 40 Mb/s và tốc độ sao chép dữ liệu dưới là 22Mb/s. Intel và Micron đã lên kế hoạch thương mại hóa bộ nhớ NAND mới nhất trong năm nay.
Vậy còn Hàn Quốc?
Hàn Quốc là nhà sản xuất thiết bị bán dẫn số một thế giới với hai tập đoàn Samsung Electronics và Hynix dẫn đầu thị trường chip bộ nhớ toàn cầu. Vậy thì tại sao Intel và Micron lại là hai tập đoàn giới thiệu bộ nhớ flash NAND tốc độ đầu tiên trên thế giới? Đến nay, Samsung và Hynix vẫn chưa công bố bất cứ kế hoạch cụ thể nào về việc sản xuất phiên bản bộ nhớ flash NAND tốc độ cao của riêng họ. Có thể dễ thấy rằng câu trả lời không nằm ở sự thiếu hụt công nghệ. Và cho đến bây giờ Samsung vẫn còn thận trọng với những hướng đi khác nhau. NAND flex-One, chip bộ nhớ tích hợp thế hệ mới do Samsung sản xuất, kết hợp được các ưu điểm bộ nhớ flash NAND và SRAM và đạt được tốc độ đọc dữ liệu 100 Mb/s và tốc độ sao chép dữ liệu 20 Mb/s. Samsung cũng thành công trong việc phát triển một phần mềm mới thiết kế riêng cho NAND flex-One với tốc độ đọc và sao chép dữ liệu được nâng cao đáng kể. Samsung và Hynix tập trung vào khả năng trình diễn tốc độ cao của bộ nhớ flash NAND và đáp ứng nhu cầu thị trường.
Tốc độ cao hay nhu cầu của thị trường?
Các chuyên gia cho rằng bộ nhớ flash NAND tốc độ cao phải đáp ứng được nhu cầu thị trường về tính tương thích và giá cả. Chip bộ nhớ thế hệ mới thậm chí có thể sẽ phát triển trước khi thị trường bộ nhớ flash NAND tốc độ cao có cơ hội phát triển. Vậy chiến lược của một số công ty Hàn Quốc nhằm đáp ứng nhu cầu của thị trường có đem lại thành công hay không? Chúng ta hãy cùng chờ xem.
Theo đài KBS World